IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場(chǎng)終止”概念(也有稱(chēng)為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。RC-Drives IGBT具備了以上兩點(diǎn),同時(shí)引入了一個(gè)逆向?qū)ㄐ投䴓O管,所以該系列擁有非常低的飽和導(dǎo)通壓降和非常高的EMI效果,最高結(jié)溫可以達(dá)到175度,高科技啊!